Cryogenic rds(on) of a GaN power transistor at high currents
The dramatic reduction in the on-state resistance of Gallium Nitride (GaN) HEMTs at cryogenic temperatures can be exploited to reduce conduction losses in power converters. In this paper, we present a low-cost and easily implementable methodology for the characterisation of the on-state resistance o...
প্রধান লেখক: | Bruford, J, Rogers, DJ, Rodriguez, T |
---|---|
বিন্যাস: | Conference item |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
IEEE
2023
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
GaN transistors for efficient power conversion /
অনুযায়ী: Lidow, Alex, author, অন্যান্য
প্রকাশিত: ([201) -
Nanostructured GaN transistors
অনুযায়ী: Chowdhury, Nadim, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2019) -
RF Power Degradation of GaN High Electron Mobility Transistors
অনুযায়ী: Joh, Jungwoo, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2012) -
Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
অনুযায়ী: Sun, Xiaowei, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2013) -
p-GaN Platform for Next-Generation GaN Complementary Transistors and Circuits
অনুযায়ী: Xie, Qingyun
প্রকাশিত: (2024)