Cryogenic rds(on) of a GaN power transistor at high currents

The dramatic reduction in the on-state resistance of Gallium Nitride (GaN) HEMTs at cryogenic temperatures can be exploited to reduce conduction losses in power converters. In this paper, we present a low-cost and easily implementable methodology for the characterisation of the on-state resistance o...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Bruford, J, Rogers, DJ, Rodriguez, T
বিন্যাস: Conference item
ভাষা:English
প্রকাশিত: IEEE 2023

অনুরূপ উপাদানগুলি