GRAIN-BOUNDARY SOLUTE INTERACTIONS IN POLYCRYSTALLINE SILICON AND GERMANIUM

GRAIN-BOUNDARY SOLUTE INTERACTIONS IN POLYCRYSTALLINE SILICON AND GERMANIUM

The behavior of semiconductors is affected by the presence and distribution of dopants. The properties involved range from electrical resistivity and carrier concentration to grain boundary mobility and self-diffusion. Understanding these phenomena necessitates the characterization of defect structu...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Smith, D, Grovenor, C, Batson, P, Wong, C
Формат:	Journal article
Мова:	English
Опубліковано:	1984

Схожі ресурси

EFFECT OF ARSENIC SEGREGATION ON THE ELECTRICAL-PROPERTIES OF GRAIN-BOUNDARIES IN POLYCRYSTALLINE SILICON
за авторством: Wong, C, та інші
Опубліковано: (1985)

ARSENIC SEGREGATION IN POLYCRYSTALLINE SILICON
за авторством: Wong, C, та інші
Опубліковано: (1983)

SEGREGATION TO GRAIN BOUNDARIES IN Si.
за авторством: Grovenor, C, та інші
Опубліковано: (1984)

AS SEGREGATION TO GRAIN-BOUNDARIES IN SI
за авторством: Grovenor, C, та інші
Опубліковано: (1984)

METAL INDUCED GRAIN GROWTH IN GERMANIUM AND SILICON THIN FILMS.
за авторством: Grovenor, C, та інші
Опубліковано: (1984)

STRUCTURAL AND ELECTRICAL EFFECTS OF DOPANT SEGREGATION TO SILICON GRAIN-BOUNDARIES
за авторством: Grovenor, C, та інші
Опубліковано: (1985)

Polycrystalline Grain Boundary Solute Segregation at Finite Sizes and Temperatures
за авторством: Tuchinda, Nutth
Опубліковано: (2023)

Phase-and-Defect Diagrams for Polycrystalline Grain Boundary Segregation
за авторством: Matson, Thomas P.
Опубліковано: (2024)

Fine grained silicon germanium alloys as superior thermoelctric materials/
за авторством: 357381 Bhandari, C. M., та інші

Investigation of grain boundaries for abnormal grain growth in polycrystalline SrTiO
за авторством: Shin, S, та інші
Опубліковано: (2010)

A study on the effect of grain boundary elements on polycrystalline superalloys
за авторством: Kontis, P
Опубліковано: (2016)

GRAIN-BOUNDARIES IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Grovenor, C
Опубліковано: (1985)

Investigation of grain boundaries for abnormal grain growth in polycrystalline SrTiO3
за авторством: Shih, S, та інші
Опубліковано: (2010)

ARSENIC SEGREGATION TO SILICON SILICON-OXIDE INTERFACES
за авторством: Wong, C, та інші
Опубліковано: (1985)

Controlled nucleation and growth process for large grained polycrystalline silicon photovoltaics
за авторством: Danforth, Stephen C., та інші
Опубліковано: (2011)

Equilibrium grain boundary segregation and clustering of impurities in colloidal polycrystalline monolayers
за авторством: Lavergne, F, та інші
Опубліковано: (2016)

Interaction of the solute niobium or molybdenum with grain boundaries in alpha-iron
за авторством: Maruyama, N, та інші
Опубліковано: (2003)

Grain boundaries as electrical conduction channels in polycrystalline monolayer WS2
за авторством: Zhou, Y, та інші
Опубліковано: (2019)

Grain growth in polycrystalline materials /
за авторством: International Conference on Grain Growth in Polycrystalline Materials (1st : 1991 : Rome, Italy), та інші
Опубліковано: (1992)

CHEMICAL EFFECTS ON GRAIN BOUNDARY MIGRATION IN Si AND Ge.
за авторством: Smith, D, та інші
Опубліковано: (1986)

Atomistic Assessment of Solute-Solute Interactions during Grain Boundary Segregation
за авторством: Matson, Thomas P., та інші
Опубліковано: (2021)

Atomistic Assessment of Solute-Solute Interactions during Grain Boundary Segregation
за авторством: Matson, Thomas P., та інші
Опубліковано: (2022)

INTERFACE STATES AT SILICON GRAIN-BOUNDARIES
за авторством: Werner, J
Опубліковано: (1989)

Silicon and germanium waveguides for silicon photonics
за авторством: Zhang, Heng
Опубліковано: (2017)

Polycrystalline silicon field emitters
за авторством: Boswell, E, та інші
Опубліковано: (1995)

Polycrystalline silicon field emitters
за авторством: Boswell, E, та інші
Опубліковано: (1996)

Grain Boundary Engineering for Improved Thin Silicon Photovoltaics
за авторством: Raghunathan, Rajamani, та інші
Опубліковано: (2016)

Preferential Pt nanocluster seeding at grain boundary dislocations in polycrystalline monolayer MoS2
за авторством: Wang, S, та інші
Опубліковано: (2018)

Blowing of polycrystalline silicon fuses
за авторством: Lee, W, та інші
Опубліковано: (2010)

Silicon-germanium strained layers and heterostructures /
за авторством: 231428 Jain, Suresh C., та інші
Опубліковано: (2003)

Germanium on silicon epitaxy and applications
за авторством: Trieu, Thi Mai Trang.
Опубліковано: (2012)

The elemental semiconductors-silicon and germanium /
за авторством: 267485 Shields, J.
Опубліковано: ((19.)

MODELS OF THE ATOMIC AND ELECTRONIC-STRUCTURES OF GRAIN-BOUNDARIES IN SILICON
за авторством: Sutton, A
Опубліковано: (1989)

NUCLEATION AND MIGRATION OF HIGH ANGLE GRAIN-BOUNDARIES IN BILAYER FOILS .1. NUCLEATION
за авторством: Grovenor, C, та інші
Опубліковано: (1980)

NUCLEATION AND MIGRATION OF HIGH ANGLE GRAIN-BOUNDARIES IN BILAYER FOILS .2. MIGRATION
за авторством: Grovenor, C, та інші
Опубліковано: (1980)

Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors /
за авторством: 190336 Cressler, John D., та інші
Опубліковано: (2003)

Specimen preparation methods for elemental characterisation of grain boundaries and isolated dislocations in multicrystalline silicon using atom probe tomography
за авторством: Lotharukpong, C, та інші
Опубліковано: (2017)

DIFFUSION INDUCED GRAIN-BOUNDARY MIGRATION IN THIN GOLD COPPER-FILMS
за авторством: Grovenor, C
Опубліковано: (1985)

Germanium-rich silicon-germanium materials for field-effect modular application
за авторством: Jongthammanurak, Samerkhae
Опубліковано: (2009)

Arrangement of rare-earth elements at prismatic grain boundaries in silicon nitride
за авторством: Winkelman, G, та інші
Опубліковано: (2004)