On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon

On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon

Oxide precipitates are well known to degrade minority carrier lifetime in silicon, but the mechanism by which they act as recombination centres is not fully understood. We report minority carrier lifetime measurements on oxide precipitate-containing silicon which has been intentionally contaminated...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Murphy, J, Bothe, K, Voronkov, V, Falster, R
التنسيق:	Journal article
اللغة:	English
منشور في:	2013

مواد مشابهة

Recombination at oxide precipitates in silicon
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2011)

The impact of oxide precipitates on minority carrier lifetime in Czochralski silicon
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2012)

Minority carrier lifetime in Czochralski silicon containing oxide precipitates
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2010)

The effect of oxide precipitates on minority carrier lifetime in p-type silicon
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2011)

Parameterisation of injection-dependent lifetime measurements in semiconductors in terms of Shockley-Read-Hall statistics: An application to oxide precipitates in silicon
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2012)

Minority carrier lifetime in silicon photovoltaics: The effect of oxygen precipitation
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2014)

Minority carrier lifetime in silicon photovoltaics: The effect of oxygen precipitation
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2014)

Room temperature sub-bandgap photoluminescence from silicon containing oxide precipitates
حسب: Bothe, K, وآخرون
منشور في: (2012)

Spin-dependent recombination in Czochralski silicon containing oxide precipitates
حسب: Lang, V, وآخرون
منشور في: (2012)

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
حسب: Jurkschat, K, وآخرون
منشور في: (2001)

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
حسب: Decoteau, M, وآخرون
منشور في: (1991)

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
حسب: Decoteau, M, وآخرون
منشور في: (1991)

PRECIPITATION OF IRON IN SILICON - GETTERING TO EXTENDED SURFACE DEFECT SITES
حسب: Decoteau, M, وآخرون
منشور في: (1991)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2006)

Contamination of silicon by iron at temperatures below 800 degrees C
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2011)

The relaxation behaviour of supersaturated iron in single-crystal silicon at 500 to 750 degrees C
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2012)

GETTERING OF COPPER TO OXIDATION INDUCED STACKING-FAULTS IN SILICON
حسب: Decoteau, M, وآخرون
منشور في: (1990)

GETTERING IN SILICON
حسب: Falster, R
منشور في: (1989)

Impurity locking of dislocations in silicon
حسب: Giannattasio, A, وآخرون
منشور في: (2004)

Nitrogen-doped silicon: Mechanical, transport and electrical properties
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2006)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
حسب: Alpass, C, وآخرون
منشور في: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
حسب: Alpass, C, وآخرون
منشور في: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
حسب: Alpass, C, وآخرون
منشور في: (2009)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
حسب: Giannattasio, A, وآخرون
منشور في: (2005)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2006)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2006)

Cathodoluminescence assessment of annealed silicon and a novel technique for estimating minority carrier lifetime in silicon
حسب: Fraser, K, وآخرون
منشور في: (2009)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2005)

Cathodoluminescence assessment of low temperature gettering in silicon and a novel technique for estimating bulk minority carrier lifetime in silicon
حسب: Fraser, K, وآخرون
منشور في: (2008)

Recombination mechanisms in crystalline silicon: bulk and surface contributions
حسب: Enrichetta Susi
منشور في: (1999-01-01)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
حسب: Senkader, S, وآخرون
منشور في: (1999)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005)
حسب: Giannattasio, A, وآخرون
منشور في: (2005)

Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking
حسب: Alpass, C, وآخرون
منشور في: (2007)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
حسب: Senkader, S, وآخرون
منشور في: (2001)