On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon

On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon

Oxide precipitates are well known to degrade minority carrier lifetime in silicon, but the mechanism by which they act as recombination centres is not fully understood. We report minority carrier lifetime measurements on oxide precipitate-containing silicon which has been intentionally contaminated...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	Murphy, J, Bothe, K, Voronkov, V, Falster, R
פורמט:	Journal article
שפה:	English
יצא לאור:	2013

פריטים דומים

Recombination at oxide precipitates in silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2011)

The impact of oxide precipitates on minority carrier lifetime in Czochralski silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2012)

Minority carrier lifetime in Czochralski silicon containing oxide precipitates
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2010)

The effect of oxide precipitates on minority carrier lifetime in p-type silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2011)

Parameterisation of injection-dependent lifetime measurements in semiconductors in terms of Shockley-Read-Hall statistics: An application to oxide precipitates in silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2012)

Minority carrier lifetime in silicon photovoltaics: The effect of oxygen precipitation
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2014)

Minority carrier lifetime in silicon photovoltaics: The effect of oxygen precipitation
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2014)

Room temperature sub-bandgap photoluminescence from silicon containing oxide precipitates
מאת: Bothe, K, et al.
יצא לאור: (2012)

Spin-dependent recombination in Czochralski silicon containing oxide precipitates
מאת: Lang, V, et al.
יצא לאור: (2012)

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
מאת: Jurkschat, K, et al.
יצא לאור: (2001)

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
מאת: Decoteau, M, et al.
יצא לאור: (1991)

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
מאת: Decoteau, M, et al.
יצא לאור: (1991)

PRECIPITATION OF IRON IN SILICON - GETTERING TO EXTENDED SURFACE DEFECT SITES
מאת: Decoteau, M, et al.
יצא לאור: (1991)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Contamination of silicon by iron at temperatures below 800 degrees C
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2011)

The relaxation behaviour of supersaturated iron in single-crystal silicon at 500 to 750 degrees C
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2012)

GETTERING OF COPPER TO OXIDATION INDUCED STACKING-FAULTS IN SILICON
מאת: Decoteau, M, et al.
יצא לאור: (1990)

GETTERING IN SILICON
מאת: Falster, R
יצא לאור: (1989)

Impurity locking of dislocations in silicon
מאת: Giannattasio, A, et al.
יצא לאור: (2004)

Nitrogen-doped silicon: Mechanical, transport and electrical properties
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2009)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
מאת: Giannattasio, A, et al.
יצא לאור: (2005)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Cathodoluminescence assessment of annealed silicon and a novel technique for estimating minority carrier lifetime in silicon
מאת: Fraser, K, et al.
יצא לאור: (2009)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2005)

Cathodoluminescence assessment of low temperature gettering in silicon and a novel technique for estimating bulk minority carrier lifetime in silicon
מאת: Fraser, K, et al.
יצא לאור: (2008)

Recombination mechanisms in crystalline silicon: bulk and surface contributions
מאת: Enrichetta Susi
יצא לאור: (1999-01-01)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
מאת: Senkader, S, et al.
יצא לאור: (1999)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005)
מאת: Giannattasio, A, et al.
יצא לאור: (2005)

Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2007)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
מאת: Senkader, S, et al.
יצא לאור: (2001)