On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon

On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon

Oxide precipitates are well known to degrade minority carrier lifetime in silicon, but the mechanism by which they act as recombination centres is not fully understood. We report minority carrier lifetime measurements on oxide precipitate-containing silicon which has been intentionally contaminated...

Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:	Murphy, J, Bothe, K, Voronkov, V, Falster, R
Materyal Türü:	Journal article
Dil:	English
Baskı/Yayın Bilgisi:	2013

Benzer Materyaller

Recombination at oxide precipitates in silicon
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

The impact of oxide precipitates on minority carrier lifetime in Czochralski silicon
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Minority carrier lifetime in Czochralski silicon containing oxide precipitates
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2010)

The effect of oxide precipitates on minority carrier lifetime in p-type silicon
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

Parameterisation of injection-dependent lifetime measurements in semiconductors in terms of Shockley-Read-Hall statistics: An application to oxide precipitates in silicon
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Minority carrier lifetime in silicon photovoltaics: The effect of oxygen precipitation
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014)

Minority carrier lifetime in silicon photovoltaics: The effect of oxygen precipitation
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014)

Room temperature sub-bandgap photoluminescence from silicon containing oxide precipitates
Yazar:: Bothe, K, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Spin-dependent recombination in Czochralski silicon containing oxide precipitates
Yazar:: Lang, V, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
Yazar:: Jurkschat, K, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2001)

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
Yazar:: Decoteau, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
Yazar:: Decoteau, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)

PRECIPITATION OF IRON IN SILICON - GETTERING TO EXTENDED SURFACE DEFECT SITES
Yazar:: Decoteau, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Contamination of silicon by iron at temperatures below 800 degrees C
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

The relaxation behaviour of supersaturated iron in single-crystal silicon at 500 to 750 degrees C
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

GETTERING OF COPPER TO OXIDATION INDUCED STACKING-FAULTS IN SILICON
Yazar:: Decoteau, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1990)

GETTERING IN SILICON
Yazar:: Falster, R
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)

Impurity locking of dislocations in silicon
Yazar:: Giannattasio, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

Nitrogen-doped silicon: Mechanical, transport and electrical properties
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
Yazar:: Alpass, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
Yazar:: Alpass, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
Yazar:: Alpass, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
Yazar:: Giannattasio, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Cathodoluminescence assessment of annealed silicon and a novel technique for estimating minority carrier lifetime in silicon
Yazar:: Fraser, K, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

Cathodoluminescence assessment of low temperature gettering in silicon and a novel technique for estimating bulk minority carrier lifetime in silicon
Yazar:: Fraser, K, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2008)

Recombination mechanisms in crystalline silicon: bulk and surface contributions
Yazar:: Enrichetta Susi
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999-01-01)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
Yazar:: Senkader, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005)
Yazar:: Giannattasio, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking
Yazar:: Alpass, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
Yazar:: Senkader, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2001)