Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
Structural and electronic prop...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Devynck, F
,
Giustino, F
,
Broqvist, P
,
Pasquarello, A
Format:
Journal article
Wydane:
2007
Egzemplarz
Opis
Podobne zapisy
Wersja MARC
Opis
Streszczenie:
Podobne zapisy
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
od: Devynck, F, i wsp.
Wydane: (2005)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
od: Devynck, F, i wsp.
Wydane: (2007)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
od: Devynck, F, i wsp.
Wydane: (2007)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
od: Giustino, F, i wsp.
Wydane: (2005)
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
od: Giustino, F, i wsp.
Wydane: (2004)