Neidio i'r cynnwys
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Iaith
Pob Maes
Teitl
Awdur
Pwnc
Rhif Galw
ISBN/ISSN
Tag
Canfod
Uwch
Structural and electronic prop...
Dyfynnu hwn
Anfonwch hwn fel neges destun
E-bostio hwn
Argraffu
Allforio Cofnod
Allforio i RefWorks
Allforio i EndNoteWeb
Allforio i EndNote
Permanent link
Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awduron:
Devynck, F
,
Giustino, F
,
Broqvist, P
,
Pasquarello, A
Fformat:
Journal article
Cyhoeddwyd:
2007
Daliadau
Disgrifiad
Eitemau Tebyg
Dangos Staff
Disgrifiad
Crynodeb:
Eitemau Tebyg
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
gan: Devynck, F, et al.
Cyhoeddwyd: (2005)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
gan: Devynck, F, et al.
Cyhoeddwyd: (2007)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
gan: Devynck, F, et al.
Cyhoeddwyd: (2007)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
gan: Giustino, F, et al.
Cyhoeddwyd: (2005)
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
gan: Giustino, F, et al.
Cyhoeddwyd: (2004)