Μετάβαση στο περιεχόμενο
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Γλώσσα
Όλα τα πεδία
Τίτλος
Συγγραφέας
Θέμα
Ταξιθετικός Αριθμός
ISBN/ISSN
Ετικέτα
Αναζήτηση
Σύνθετη
Structural and electronic prop...
Εμφάνιση παραπομπής
Αποστολή με SMS
Αποστολή με email
Εκτύπωση
Αποθήκευση
Αποθήκευση σε RefWorks
Αποθήκευση σε EndNoteWeb
Αποθήκευση σε EndNote
Μόνιμος σύνδεσμος
Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριοι συγγραφείς:
Devynck, F
,
Giustino, F
,
Broqvist, P
,
Pasquarello, A
Μορφή:
Journal article
Έκδοση:
2007
Τεκμήρια
Περιγραφή
Παρόμοια τεκμήρια
Λεπτομερής προβολή
Περιγραφή
Περίληψη:
Παρόμοια τεκμήρια
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
ανά: Devynck, F, κ.ά.
Έκδοση: (2005)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
ανά: Devynck, F, κ.ά.
Έκδοση: (2007)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
ανά: Devynck, F, κ.ά.
Έκδοση: (2007)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
ανά: Giustino, F, κ.ά.
Έκδοση: (2005)
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
ανά: Giustino, F, κ.ά.
Έκδοση: (2004)