Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
Structural and electronic prop...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
Bibliografiset tiedot
Päätekijät:
Devynck, F
,
Giustino, F
,
Broqvist, P
,
Pasquarello, A
Aineistotyyppi:
Journal article
Julkaistu:
2007
Saatavuustiedot
Kuvaus
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Kuvaus
Yhteenveto:
Samankaltaisia teoksia
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
Tekijä: Devynck, F, et al.
Julkaistu: (2005)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
Tekijä: Devynck, F, et al.
Julkaistu: (2007)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
Tekijä: Devynck, F, et al.
Julkaistu: (2007)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
Tekijä: Giustino, F, et al.
Julkaistu: (2005)
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
Tekijä: Giustino, F, et al.
Julkaistu: (2004)