Անցեք բովանդակությանը
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Լեզու
Բոլոր դաշտերը
Վերնագիր
Հեղինակ
Խորագիր
Դասիչ
ISBN/ISSN
Ցուցիչ
Գտեք
Ընդլայնված
Structural and electronic prop...
Վկայակոչեք սա
Գրեք սա
Էլփոստով ուղարկեք սա
Տպել
Արտահանել գրառումը
Արտահանել դեպի RefWorks
Արտահանել դեպի EndNoteWeb
Արտահանել դեպի EndNote
Մշտական հղում
Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:
Devynck, F
,
Giustino, F
,
Broqvist, P
,
Pasquarello, A
Ձևաչափ:
Journal article
Հրապարակվել է:
2007
Պահումներ
Նկարագրություն
Նմանատիպ նյութեր
Աշխատակազմի տեսք
Նկարագրություն
Ամփոփում:
Նմանատիպ նյութեր
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
: Devynck, F, և այլն
Հրապարակվել է: (2005)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
: Devynck, F, և այլն
Հրապարակվել է: (2007)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
: Devynck, F, և այլն
Հրապարակվել է: (2007)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
: Giustino, F, և այլն
Հրապարակվել է: (2005)
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
: Giustino, F, և այլն
Հրապարակվել է: (2004)