Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
Structural and electronic prop...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
Библиографические подробности
Главные авторы:
Devynck, F
,
Giustino, F
,
Broqvist, P
,
Pasquarello, A
Формат:
Journal article
Опубликовано:
2007
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Описание
Итог:
Схожие документы
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
по: Devynck, F, и др.
Опубликовано: (2005)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
по: Devynck, F, и др.
Опубликовано: (2007)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
по: Devynck, F, и др.
Опубликовано: (2007)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
по: Giustino, F, и др.
Опубликовано: (2005)
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
по: Giustino, F, и др.
Опубликовано: (2004)