Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Vsa polja
Naslov
Avtor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Išči
Napredno
Structural and electronic prop...
Citiraj
Pošljite SMS
Pošljite email
Natisni
Izvozi zadetek
Izvozi v RefWorks
Izvozi v EndNoteWeb
Izvozi v EndNote
Permanent link
Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
Bibliografske podrobnosti
Main Authors:
Devynck, F
,
Giustino, F
,
Broqvist, P
,
Pasquarello, A
Format:
Journal article
Izdano:
2007
Zaloga
Opis
Podobne knjige/članki
Knjižničarski pogled
Opis
Izvleček:
Podobne knjige/članki
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
od: Devynck, F, et al.
Izdano: (2005)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
od: Devynck, F, et al.
Izdano: (2007)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
od: Devynck, F, et al.
Izdano: (2007)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
od: Giustino, F, et al.
Izdano: (2005)
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
od: Giustino, F, et al.
Izdano: (2004)