Перейти до змісту
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Мова
Всі поля
Назва
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Тег
Знайти
Розширений
Structural and electronic prop...
Цитувати
Відправити по sms
Відправити е-поштою
Друк
Експортувати запис
Екпортувати в RefWorks
Екпортувати в EndNoteWeb
Екпортувати в EndNote
Постійне посилання
Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
Бібліографічні деталі
Автори:
Devynck, F
,
Giustino, F
,
Broqvist, P
,
Pasquarello, A
Формат:
Journal article
Опубліковано:
2007
Примірники
Опис
Схожі ресурси
Службовий вигляд
Опис
Резюме:
Схожі ресурси
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
за авторством: Devynck, F, та інші
Опубліковано: (2005)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
за авторством: Devynck, F, та інші
Опубліковано: (2007)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
за авторством: Devynck, F, та інші
Опубліковано: (2007)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
за авторством: Giustino, F, та інші
Опубліковано: (2005)
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
за авторством: Giustino, F, та інші
Опубліковано: (2004)