Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
Structural and electronic prop...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Devynck, F
,
Giustino, F
,
Broqvist, P
,
Pasquarello, A
Médium:
Journal article
Vydáno:
2007
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
Autor: Devynck, F, a další
Vydáno: (2005)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
Autor: Devynck, F, a další
Vydáno: (2007)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
Autor: Devynck, F, a další
Vydáno: (2007)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
Autor: Giustino, F, a další
Vydáno: (2005)
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
Autor: Giustino, F, a další
Vydáno: (2004)