Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
প্রধান লেখক: | Devynck, F, Giustino, F, Broqvist, P, Pasquarello, A |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
প্রকাশিত: |
2007
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
অনুযায়ী: Devynck, F, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2005) -
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
অনুযায়ী: Devynck, F, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007) -
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
অনুযায়ী: Devynck, F, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007) -
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
অনুযায়ী: Giustino, F, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2005) -
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
অনুযায়ী: Giustino, F, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2004)