বিষয়বস্তু এড়িয়ে যান
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
ভাষা
সমস্ত ক্ষেত্রসমূহ
আখ্যা
লেখক
বিষয়
ডাক সংখ্যা
আইসবিএন/আইএসএসএন
ট্যাগ
অনুসন্ধান
বিস্তৃত
Structural and electronic prop...
সাইট করুন
এই পাঠটি
এই ই-মেইলটি
মুদ্রণ
নথি এক্সপোর্ট করুন
এক্সপোর্ট করুন RefWorks
এক্সপোর্ট করুন EndNoteWeb
এক্সপোর্ট করুন EndNote
স্থায়ী লিঙ্ক
Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:
Devynck, F
,
Giustino, F
,
Broqvist, P
,
Pasquarello, A
বিন্যাস:
Journal article
প্রকাশিত:
2007
হোল্ডিংস
বিবরন
অনুরূপ উপাদানগুলি
স্টাফেদের বিবরণ দেখুন
অনুরূপ উপাদানগুলি
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
অনুযায়ী: Devynck, F, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2005)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
অনুযায়ী: Devynck, F, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
অনুযায়ী: Devynck, F, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
অনুযায়ী: Giustino, F, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2005)
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
অনুযায়ী: Giustino, F, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2004)