Chuyển đến nội dung
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Ngôn ngữ
Tất cả các trường
Tiêu đề
Tác giả
Chủ đề
Số hiệu
số ISBN/ISSN
Nhãn
Tìm kiếm
Nâng cao
Structural and electronic prop...
Trích dẫn điều này
Văn bản này
Email này
In
Xuất bản ghi
Xuất tới RefWorks
Xuất tới EndNoteWeb
Xuất tới EndNote
Liên kết dài hạn
Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:
Devynck, F
,
Giustino, F
,
Broqvist, P
,
Pasquarello, A
Định dạng:
Journal article
Được phát hành:
2007
Đang giữ
Miêu tả
Những quyển sách tương tự
Chế độ xem nhân viên
Những quyển sách tương tự
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
Bằng: Devynck, F, et al.
Được phát hành: (2005)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
Bằng: Devynck, F, et al.
Được phát hành: (2007)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
Bằng: Devynck, F, et al.
Được phát hành: (2007)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
Bằng: Giustino, F, et al.
Được phát hành: (2005)
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
Bằng: Giustino, F, et al.
Được phát hành: (2004)