ELECTRICAL BEHAVIOUR OF INDIVIDUAL DISLOCATIONS, SHOCKLEY PARTIALS AND STACKING FAULT RIBBONS IN SILICON.

ELECTRICAL BEHAVIOUR OF INDIVIDUAL DISLOCATIONS, SHOCKLEY PARTIALS AND STACKING FAULT RIBBONS IN SILICON.

The EBIC mode of the SEM was used to study the electronic properties of individual dislocations in silicon at high spatial resolution. A theory of EBIC, relating the contrast to the fundamental defect parameters, such as the carrier lifetime in the vicinity of the defect, is presented. A means for t...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Ourmazd, A, Wilshaw, P, Booker, G
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	1982

Những quyển sách tương tự

THE ELECTRICAL BEHAVIOR OF INDIVIDUAL DISLOCATIONS, SHOCKLEY PARTIALS AND STACKING-FAULT RIBBONS IN SILICON
Bằng: Ourmazd, A, et al.
Được phát hành: (1983)

ELECTRICAL BEHAVIOUR OF INDIVIDUAL DISLOCATIONS, SHOCKLEY PARTIALS AND STACKING FAULTS.
Bằng: Ourmazd, A, et al.
Được phát hành: (1982)

TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
Bằng: Ourmazd, A, et al.
Được phát hành: (1983)

THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON
Bằng: Ourmazd, A, et al.
Được phát hành: (1983)

SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATIONS IN SILICON USING A COMPUTERIZED EBIC SYSTEM
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1983)

SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATION IN SILICON USING A COMPUTERISED EBIC SYSTEM.
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1983)

NEW RESULTS AND AN INTERPRETATION FOR SEM EBIC CONTRAST ARISING FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1985)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1989)

DISLOCATION RECOMBINATION THEORY FOR SILICON AND INTERPRETATION OF EBIC CONTRAST IN TERMS OF FUNDAMENTAL DISLOCATION PARAMETERS.
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1986)

MEASUREMENT OF CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS BY LOCK-IN EBIC
Bằng: Ourmazd, A, et al.
Được phát hành: (1982)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (1999)

GETTERING OF COPPER TO OXIDATION INDUCED STACKING-FAULTS IN SILICON
Bằng: Decoteau, M, et al.
Được phát hành: (1990)

The Shockley–Queisser limit and the conversion efficiency of silicon-based solar cells
Bằng: A.R. Zanatta
Được phát hành: (2022-12-01)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1989)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1989)

Stable Stacking Faults Bounded by Frank Partial Dislocations in Al7075 Formed through Precipitate and Dislocation Interactions
Bằng: Sijie Li, et al.
Được phát hành: (2017-12-01)

An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1984)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1989)

Observation of a blocking to channeling transition for MeV protons at stacking faults in silicon.
Bằng: King, P, et al.
Được phát hành: (1995)

On a SHOCKLEY-READ-HALL model for semiconductors
Bằng: Knežević-Miljanović Julka
Được phát hành: (2013-01-01)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2001)

Impurity locking of dislocations in silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2004)

The role of prismatic dislocation loops in the generation of glide dislocations in Cz-silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2004)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (1999)

EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1993)

Beyond the Shockley-Queisser limit : intermediate band and tandem solar cells leveraging silicon and CdTe technology
Bằng: Mailoa, Jonathan P
Được phát hành: (2016)

Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley–Read–Hall lifetimes
Bằng: A.V. Sachenko, et al.
Được phát hành: (2017-04-01)

Generation of dislocation glide loops in Czochralski silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2002)

Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2003)

Generalized stacking fault energy surface mismatch and dislocation transformation
Bằng: Longsheng Feng, et al.
Được phát hành: (2021-12-01)

Oxygen-dislocation interactions in silicon at temperatures below 700 degrees C: Dislocation locking and oxygen diffusion
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2001)

Resolving the Corbino Shockley-Ramo paradox for hydrodynamic current noise
Bằng: Aaron Hui
Được phát hành: (2024-12-01)

QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1991)

QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1991)

Parameterisation of injection-dependent lifetime measurements in semiconductors in terms of Shockley-Read-Hall statistics: An application to oxide precipitates in silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2012)

Solute atom segregation to I1 stacking fault and its bounding partial dislocations in a Mg–Bi alloy
Bằng: Cong He, et al.
Được phát hành: (2024-08-01)

Stacking-fault imaging using transmission ion channeling.
Bằng: King, P, et al.
Được phát hành: (1995)

APPLICATION OF TRANSMISSION ION CHANNELING TO THE IMAGING OF STACKING-FAULTS
Bằng: King, P, et al.
Được phát hành: (1995)

Are Shockley-Read-Hall and ABC models valid for lead halide perovskites?
Bằng: Alexander Kiligaridis, et al.
Được phát hành: (2021-06-01)