Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
Strain effect in a GaAs-In0.25...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
Strain effect in a GaAs-In0.25Ga0.75As-Al0.5Ga0.5As asymmetric quantum wire
Библиографические подробности
Главные авторы:
Fu, Y
,
Willander, M
,
Lu, W
,
Liu, X
,
Shen, S
,
Jagadish, C
,
Gal, M
,
Zou, J
,
Cockayne, D
Формат:
Journal article
Опубликовано:
2000
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
Optical transition in infrared photodetector based on V-groove Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum wire
по: Fu, Y, и др.
Опубликовано: (2001)
Magneto-luminescence of quasi-zero dimensional In0.25Ga0.75As/GaAs quantum dots
по: Cheng, H, и др.
Опубликовано: (1998)
Photoluminescence studies of In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots /
по: Yussof Wahab, author, и др.
Опубликовано: (2006)
Photoluminescence studies of In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots
по: Wahab, Yussof, и др.
Опубликовано: (2006)
Photoluminescence Studies of In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots
по: Wahab, Yussof, и др.
Опубликовано: (2006)