Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
Misfit dislocations generated...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
Misfit dislocations generated from inhomogeneous sources and their critical thicknesses in a InGaAs/GaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Zou, J
,
Cockayne, D
,
RussellHarriott, J
Format:
Journal article
Wydane:
1997
Egzemplarz
Opis
Podobne zapisy
Wersja MARC
Podobne zapisy
Inhomogeneous sources of misfit dislocation generation in InxGa1-xAs/GaAs strained-layer heterostructures grown by molecular beam epitaxy
od: Zou, J, i wsp.
Wydane: (1997)
Cathodoluminescence study of oval defects in MBE grown InGaAs/GaAs
od: RussellHarriott, J, i wsp.
Wydane: (1996)
MISFIT DISLOCATIONS AND CRITICAL THICKNESS IN INGAAS/GAAS HETEROSTRUCTURE SYSTEMS
od: Zou, J, i wsp.
Wydane: (1993)
Oval defects in InGaAs/GaAs heterostructures
od: Russell-Harriott, J, i wsp.
Wydane: (1998)
Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
od: A. A. Maldzhy, i wsp.
Wydane: (2006-12-01)