Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures

Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures

Dislocation-oxygen interactions in silicon have been studied experimentally and using numerical modelling. Experiments were performed to understand the locking of dislocations by oxygen and to measure the unlocking stress of dislocations in the temperature range 350-900degreesC for different anneali...

Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:	Senkader, S, Giannattasio, A, Falster, R, Wilshaw, P
Materyal Türü:	Conference item
Baskı/Yayın Bilgisi:	Trans Tech Publications Ltd 2004

Benzer Materyaller

Dislocation locking by oxygen in silicon: New insights to oxygen diffusion at low temperatures
Yazar:: Senkader, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2002)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
Yazar:: Giannattasio, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

Oxygen-dislocation interactions in silicon at temperatures below 700 degrees C: Dislocation locking and oxygen diffusion
Yazar:: Senkader, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2001)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
Yazar:: Senkader, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
Yazar:: Senkader, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2001)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005)
Yazar:: Giannattasio, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

On the dislocation-oxygen interactions in Czochralski-grown Si: oxygen diffusion and binding at low temperatures
Yazar:: Senkader, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2002)

Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon
Yazar:: Giannattasio, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2003)

Impurity locking of dislocations in silicon
Yazar:: Giannattasio, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
Yazar:: Senkader, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

The role of prismatic dislocation loops in the generation of glide dislocations in Cz-silicon
Yazar:: Giannattasio, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking
Yazar:: Alpass, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)

Generation of dislocation glide loops in Czochralski silicon
Yazar:: Giannattasio, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2002)

A study of oxygen dislocation interactions in CZ-Si
Yazar:: Senkader, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2000)

The use of numerical simulation to predict the unlocking stress of dislocations in Cz-silicon wafers
Yazar:: Giannattasio, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2003)

A room temperature cathodoluminescence study of dislocations in silicon
Yazar:: Stowe, D, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Near-band gap luminescence at room temperature from dislocations in silicon
Yazar:: Stowe, D, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2003)

The role of dislocations in producing efficient near-bandgap luminescence from silicon
Yazar:: Fraser, K, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)

Interaction of oxygen and nitrogen impurities with dislocations in silicon single-crystals
Yazar:: Giannattasio, A
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

Nitrogen-doped silicon: Mechanical, transport and electrical properties
Yazar:: Murphy, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

The effect of impurity-induced lattice strain and Fermi level position on low temperature oxygen diffusion in silicon
Yazar:: Zeng, Z, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
Yazar:: Alpass, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

Efficient, room-temperature, near-band gap luminescence by gettering in ion implanted silicon
Yazar:: Stowe, D, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
Yazar:: Jurkschat, K, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2001)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
Yazar:: Alpass, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
Yazar:: Alpass, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

Measurements of Dislocation Locking by Near-Surface Ion-Implanted Nitrogen in Czochralski Silicon
Yazar:: Alpass, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

Measurements of dislocation locking by near-surface ion-implanted nitrogen in Czochralski silicon
Yazar:: Alpass, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2008)

Cathodoluminescence assessment of low temperature gettering in silicon and a novel technique for estimating bulk minority carrier lifetime in silicon
Yazar:: Fraser, K, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2008)

TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
Yazar:: Ourmazd, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1983)