İçeriği atla
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Dil
Tüm Alanlar
Materyal Adı
Yazar
Konu
Yer Numarası
ISBN/ISSN
Etiket
Ara
Gelişmiş
AN ELECTRON-BEAM-INDUCED CURRE...
Alıntıla
Telefona gönder
E-posta Gönder
Yazdır
Kaydı İhraç Et
İhraç Et RefWorks
İhraç Et EndNoteWeb
İhraç Et EndNote
Kalıcı bağlantı
AN ELECTRON-BEAM-INDUCED CURRENT STUDY OF DISLOCATIONS IN GAAS
Diğer sürümleri göster (1)
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:
Galloway, S
,
Wilshaw, P
,
Konkol, A
Materyal Türü:
Conference item
Baskı/Yayın Bilgisi:
1994
Erişim Bilgileri
Diğer Bilgiler
Diğer sürümler (1)
Benzer Materyaller
MARC Görünümü
Benzer Materyaller
Electron-beam-induced current study of dislocations in GaAs
Yazar:: Galloway, SA, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1994)
Dislocation imaging using ion beam induced charge
Yazar:: Breese, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1993)
An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
Yazar:: Wilshaw, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1984)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Yazar:: Wilshaw, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Yazar:: Wilshaw, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)