Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
שפה
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
AN ELECTRON-BEAM-INDUCED CURRE...
יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
Permanent link
AN ELECTRON-BEAM-INDUCED CURRENT STUDY OF DISLOCATIONS IN GAAS
Show other versions (1)
מידע ביבליוגרפי
Main Authors:
Galloway, S
,
Wilshaw, P
,
Konkol, A
פורמט:
Conference item
יצא לאור:
1994
מלאי ספרים
תיאור
Other Versions (1)
פריטים דומים
תצוגת צוות
פריטים דומים
Electron-beam-induced current study of dislocations in GaAs
מאת: Galloway, SA, et al.
יצא לאור: (1994)
Dislocation imaging using ion beam induced charge
מאת: Breese, M, et al.
יצא לאור: (1993)
An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1984)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1989)