Անցեք բովանդակությանը
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Լեզու
Բոլոր դաշտերը
Վերնագիր
Հեղինակ
Խորագիր
Դասիչ
ISBN/ISSN
Ցուցիչ
Գտեք
Ընդլայնված
EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCA...
Վկայակոչեք սա
Գրեք սա
Էլփոստով ուղարկեք սա
Տպել
Արտահանել գրառումը
Արտահանել դեպի RefWorks
Արտահանել դեպի EndNoteWeb
Արտահանել դեպի EndNote
Մշտական հղում
EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:
Fell, T
,
Wilshaw, P
,
Decoteau, M
Ձևաչափ:
Journal article
Հրապարակվել է:
1993
Պահումներ
Նկարագրություն
Նմանատիպ նյութեր
Աշխատակազմի տեսք
Նմանատիպ նյութեր
QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
: Fell, T, և այլն
Հրապարակվել է: (1991)
QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
: Fell, T, և այլն
Հրապարակվել է: (1991)
AN EBIC INVESTIGATION OF ALPHA, BETA AND SCREW DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
: Galloway, S, և այլն
Հրապարակվել է: (1993)
An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
: Wilshaw, P, և այլն
Հրապարակվել է: (1984)
TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
: Ourmazd, A, և այլն
Հրապարակվել է: (1983)