বিষয়বস্তু এড়িয়ে যান
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
ভাষা
সমস্ত ক্ষেত্রসমূহ
আখ্যা
লেখক
বিষয়
ডাক সংখ্যা
আইসবিএন/আইএসএসএন
ট্যাগ
অনুসন্ধান
বিস্তৃত
EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCA...
সাইট করুন
এই পাঠটি
এই ই-মেইলটি
মুদ্রণ
নথি এক্সপোর্ট করুন
এক্সপোর্ট করুন RefWorks
এক্সপোর্ট করুন EndNoteWeb
এক্সপোর্ট করুন EndNote
স্থায়ী লিঙ্ক
EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:
Fell, T
,
Wilshaw, P
,
Decoteau, M
বিন্যাস:
Journal article
প্রকাশিত:
1993
হোল্ডিংস
বিবরন
অনুরূপ উপাদানগুলি
স্টাফেদের বিবরণ দেখুন
বিবরন
সংক্ষিপ্ত:
অনুরূপ উপাদানগুলি
QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
অনুযায়ী: Fell, T, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991)
QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
অনুযায়ী: Fell, T, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991)
AN EBIC INVESTIGATION OF ALPHA, BETA AND SCREW DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
অনুযায়ী: Galloway, S, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993)
An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
অনুযায়ী: Wilshaw, P, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1984)
TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
অনুযায়ী: Ourmazd, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1983)