EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON

Схожі ресурси

• QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
  за авторством: Fell, T, та інші
  Опубліковано: (1991)
• QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
  за авторством: Fell, T, та інші
  Опубліковано: (1991)
• AN EBIC INVESTIGATION OF ALPHA, BETA AND SCREW DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
  за авторством: Galloway, S, та інші
  Опубліковано: (1993)
• An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
  за авторством: Wilshaw, P, та інші
  Опубліковано: (1984)
• TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
  за авторством: Ourmazd, A, та інші
  Опубліковано: (1983)