Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCA...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON
Bibliografiset tiedot
Päätekijät:
Fell, T
,
Wilshaw, P
,
Decoteau, M
Aineistotyyppi:
Journal article
Julkaistu:
1993
Saatavuustiedot
Kuvaus
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Samankaltaisia teoksia
QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
Tekijä: Fell, T, et al.
Julkaistu: (1991)
QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
Tekijä: Fell, T, et al.
Julkaistu: (1991)
AN EBIC INVESTIGATION OF ALPHA, BETA AND SCREW DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
Tekijä: Galloway, S, et al.
Julkaistu: (1993)
An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
Tekijä: Wilshaw, P, et al.
Julkaistu: (1984)
TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
Tekijä: Ourmazd, A, et al.
Julkaistu: (1983)