Ir para o conteúdo
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Palavra solta
Título
Autor
Assunto
Área/Cota
ISBN/ISSN
Tag
Pesquisar
Avançada
EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCA...
Citar
Enviar por SMS
Enviar por email
Imprimir
Exportar registo
Exportar para RefWorks
Exportar para EndNoteWeb
Exportar para EndNote
Permanent link
EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON
Detalhes bibliográficos
Main Authors:
Fell, T
,
Wilshaw, P
,
Decoteau, M
Formato:
Journal article
Publicado em:
1993
Exemplares
Descrição
Registos relacionados
Registo fonte
Registos relacionados
QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
Por: Fell, T, et al.
Publicado em: (1991)
QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
Por: Fell, T, et al.
Publicado em: (1991)
AN EBIC INVESTIGATION OF ALPHA, BETA AND SCREW DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
Por: Galloway, S, et al.
Publicado em: (1993)
An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
Por: Wilshaw, P, et al.
Publicado em: (1984)
TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
Por: Ourmazd, A, et al.
Publicado em: (1983)