Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates

We report straight and vertically aligned defect-free GaAs nanowires grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapor deposition. By deposition of thin GaAs buffer layers on Si substrates, these nanowires could be grown on the buffer layers with much less stringent conditions as otherwise...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:	Kang, J, Gao, Q, Joyce, H, Tan, H, Jagadish, C, Kim, Y, Guo, Y, Xu, H, Zou, J, Fickenscher, M, Smith, L, Jackson, H, Yarrison-Rice, J
Ձևաչափ:	Journal article
Լեզու:	English
Հրապարակվել է:	2011

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates

Նմանատիպ նյութեր