FRACTURE AND CRACK TIP PLASTICITY IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE

FRACTURE AND CRACK TIP PLASTICITY IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Michot, G, George, A
التنسيق:	Conference item
منشور في:	1989

مواد مشابهة

PLASTICITY AND DISLOCATION MOBILITIES AT LOW-TEMPERATURE IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
حسب: Demenet, J, وآخرون
منشور في: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
حسب: Wilshaw, P, وآخرون
منشور في: (1989)

VLSI fabrication principles : silicon and gallium arsenide /
حسب: 359597 Ghandi, Sorab K.
منشور في: (1994)

VLSI fabrication principles: silicon and gallium arsenide/
حسب: 359597 Ghandi, Sorab K.
منشور في: (1983)

Light depolarization effects in tip enhanced Raman spectroscopy of silicon (001) and gallium arsenide (001)
حسب: P. G. Gucciardi, وآخرون
منشور في: (2011-09-01)

Gallium arsenide /
حسب: Blakemore, John Sydney
منشور في: (1987)

Gallium arsenide : proceedings /
حسب: International Gallium Arsenide Symposium, (2nd : 1968 Dallas, Texas), وآخرون
منشور في: (1969)

Gallium interstitial contributions to diffusion in gallium arsenide
حسب: Joseph T. Schick, وآخرون
منشور في: (2011-09-01)

MOBILITY OF DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
حسب: Alexander, H, وآخرون
منشور في: (1989)

Dielectric films on gallium arsenide /
حسب: 351413 Croydon, W. F., وآخرون
منشور في: (1981)

Gallium arsenide and related compounds,
حسب: International Symposium on Gallium Arsenide and related compounds (5th : 1974 : Deauville), وآخرون
منشور في: (1975)

Gallium arsenide and related compounds /
حسب: 472172 International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (13th : 1986 : Las Vegas), وآخرون
منشور في: (1987)

Gallium arsenide and related compounds /
حسب: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (6th, 1976 : Edinburg), وآخرون
منشور في: (1977)

Experiments in gallium arsenide technology /
حسب: 225814 Branning, D. J., وآخرون
منشور في: (1988)

Gallium arsenide nanoparticles: synthesis and characterisation
حسب: Malik, M, وآخرون
منشور في: (2003)

Growth rate gallium arsenide nanowires /
حسب: Rosnita Muhammad, 1972-, author, وآخرون
منشور في: (2009)

Gallium arsenide and related compounds 1985 /
حسب: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (12th : 1985 : Karuizawa, Japan)
منشور في: (1986)

Gallium arsenide and related compounds : proccedings /
حسب: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (6th : 1976 : St. Louis), وآخرون
منشور في: (1977)

Gallium arsenide and related compounds : proceedings
حسب: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (4th : 1972 : Boulder, Colorado)
منشور في: (1973)

Gallium arsenide and related compounds, 1978 /
حسب: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (7th : 1978 : St. Louis), وآخرون
منشور في: (1979)

Gallium arsenide and related compounds : proceedings /
حسب: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds, (3rd : 1970 : Aachen), وآخرون
منشور في: (1971)

OSILATOR BERBASIS GALLIUM ARSENIDE (GaAs)
حسب: Andreas Ardian Febrianto
منشور في: (2014-04-01)

Physical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSI
حسب: S. P. Novosyadliy, وآخرون
منشور في: (2020-06-01)

Gallium arsenide pixel detectors for medical imaging
حسب: DaVia, C, وآخرون
منشور في: (1997)

Synthesis of Polytypic Gallium Phosphide and Gallium Arsenide Nanowires and Their Application as Photodetectors
حسب: Kidong Park, وآخرون
منشور في: (2019-02-01)

Growth of Gold-assisted Gallium Arsenide Nanowires on Silicon Substrates via Molecular Beam Epitaxy
حسب: Ramon M. delos Santos, وآخرون
منشور في: (2008-06-01)

Gallium arsenide : proceedings of the international symposium [mikrofis]
حسب: Institute of Physics (Great Britain)
منشور في: (1966)

Gallium arsenide digital integrated circuit design /
حسب: 341681 Long, Stephen I., وآخرون
منشور في: (c199)

Electronic structure simulation of gallium arsenide clusters
حسب: Musa, Nor Muniroh
منشور في: (2009)

Electronic structure simulation of gallium arsenide clusters /
حسب: Nor Muniroh Musa, 1982-, وآخرون
منشور في: (2009)

Gallium arsenide IC technology : principles and practice /
حسب: 231019 Sclater, Neil
منشور في: (1988)

ATOM PROBE STUDIES OF THE COMPOSITION OF LOW-TEMPERATURE OXIDES ON (100) SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE SURFACES
حسب: Grovenor, C, وآخرون
منشور في: (1989)

Broadband electrooptic modulators based on gallium arsenide materials
حسب: Shamir, Orit A
منشور في: (2012)

Elevated temperature stability of gallium arsenide integrated circuits
حسب: Braun, Eric
منشور في: (2007)

Atomic and electronic structure of grain boundaries in gallium arsenide
حسب: Krishna, S, وآخرون
منشور في: (1994)

Structure and bandgaps of small range gallium arsenide nanocluster
حسب: Musa, Nor Muniroh, وآخرون
منشور في: (2008)

Gallium arsenide microwave bulk and transit-time devices/
حسب: 268905 Eastman, Lester F.
منشور في: (1972)

Properties of lattice-matched and strained indium gallium arsenide /
حسب: Bhattacharya, Pallab
منشور في: (1993)

Geometry optimizing of gallium arsenide using materials studio /
حسب: Mohamad Hafiz Mat Rashid, 1987-, وآخرون
منشور في: (2010)

INTERKONEKSI IC DIGITAL BERBAHAN GALLIUM ARSENIDE (GaAs)
حسب: Andreas Ardian Febrianto
منشور في: (2011-04-01)