Những quyển sách tương tự
-
PLASTICITY AND DISLOCATION MOBILITIES AT LOW-TEMPERATURE IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Bằng: Demenet, J, et al.
Được phát hành: (1989) -
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1989) -
VLSI fabrication principles : silicon and gallium arsenide /
Bằng: 359597 Ghandi, Sorab K.
Được phát hành: (1994) -
VLSI fabrication principles: silicon and gallium arsenide/
Bằng: 359597 Ghandi, Sorab K.
Được phát hành: (1983) -
Light depolarization effects in tip enhanced Raman spectroscopy of silicon (001) and gallium arsenide (001)
Bằng: P. G. Gucciardi, et al.
Được phát hành: (2011-09-01)