Перейти до змісту
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Мова
Всі поля
Назва
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Тег
Знайти
Розширений
Competing growth mechanisms of...
Цитувати
Відправити по sms
Відправити е-поштою
Друк
Експортувати запис
Екпортувати в RefWorks
Екпортувати в EndNoteWeb
Екпортувати в EndNote
Постійне посилання
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
Бібліографічні деталі
Автори:
Goldfarb, I
,
Hayden, P
,
Owen, J
,
Briggs, G
Формат:
Journal article
Опубліковано:
1997
Примірники
Опис
Схожі ресурси
Службовий вигляд
Опис
Резюме:
Схожі ресурси
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
за авторством: Goldfarb, I, та інші
Опубліковано: (1999)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
за авторством: Goldfarb, I, та інші
Опубліковано: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
за авторством: Goldfarb, I, та інші
Опубліковано: (1997)
Nucleation of ''hut'' pits and clusters during gas-source molecular-beam epitaxy of Ge/Si(001) in in situ scanning tunnelng microscopy
за авторством: Goldfarb, I, та інші
Опубліковано: (1997)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
за авторством: Owen, J, та інші
Опубліковано: (1997)