Chuyển đến nội dung
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Ngôn ngữ
Tất cả các trường
Tiêu đề
Tác giả
Chủ đề
Số hiệu
số ISBN/ISSN
Nhãn
Tìm kiếm
Nâng cao
Competing growth mechanisms of...
Trích dẫn điều này
Văn bản này
Email này
In
Xuất bản ghi
Xuất tới RefWorks
Xuất tới EndNoteWeb
Xuất tới EndNote
Liên kết dài hạn
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:
Goldfarb, I
,
Hayden, P
,
Owen, J
,
Briggs, G
Định dạng:
Journal article
Được phát hành:
1997
Đang giữ
Miêu tả
Những quyển sách tương tự
Chế độ xem nhân viên
Những quyển sách tương tự
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
Bằng: Goldfarb, I, et al.
Được phát hành: (1999)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
Bằng: Goldfarb, I, et al.
Được phát hành: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
Bằng: Goldfarb, I, et al.
Được phát hành: (1997)
Nucleation of ''hut'' pits and clusters during gas-source molecular-beam epitaxy of Ge/Si(001) in in situ scanning tunnelng microscopy
Bằng: Goldfarb, I, et al.
Được phát hành: (1997)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
Bằng: Owen, J, et al.
Được phát hành: (1997)