Skip to content
VuFind
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
    • Sámegiella
    • Монгол
高级检索
  • Competing growth mechanisms of...
  • 引用
  • 发送短信
  • 推荐此
  • 打印
  • 导出纪录
    • 导出到 RefWorks
    • 导出到 EndNoteWeb
    • 导出到 EndNote
  • Permanent link
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters

Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters

书目详细资料
Main Authors: Goldfarb, I, Hayden, P, Owen, J, Briggs, G
格式: Journal article
出版: 1997
  • 持有资料
  • 实物特征
  • 相似书籍
  • 职员浏览

相似书籍

  • Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
    由: Goldfarb, I, et al.
    出版: (1999)
  • Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
    由: Goldfarb, I, et al.
    出版: (1997)
  • Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
    由: Goldfarb, I, et al.
    出版: (1997)
  • Nucleation of ''hut'' pits and clusters during gas-source molecular-beam epitaxy of Ge/Si(001) in in situ scanning tunnelng microscopy
    由: Goldfarb, I, et al.
    出版: (1997)
  • Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
    由: Owen, J, et al.
    出版: (1997)

检索选项

  • 检索历史
  • 高级检索

查找更多

  • 浏览目录
  • 按字母顺序浏览
  • 探索频道
  • 课程储备
  • 新项目

需要帮助?

  • 检索技巧
  • 咨询台
  • 常见问题