Ga door naar de inhoud
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Taal
Alle velden
Titel
Auteur
Onderwerp
Plaatsingsnummer
ISBN/ISSN
Tag
Zoek
Geavanceerd
Using growth kinetics for nano...
Citeren
SMS dit
Versturen
Afdrukken
Exporteer Record
Exporteer naar RefWorks
Exporteer naar EndNoteWeb
Exporteer naar EndNote
Permalink
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Bibliografische gegevens
Hoofdauteurs:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Formaat:
Conference item
Gepubliceerd in:
1998
Exemplaren
Omschrijving
Gelijkaardige items
Personeel
Gelijkaardige items
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
door: Goldfarb, I, et al.
Gepubliceerd in: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
door: Owen, J, et al.
Gepubliceerd in: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
door: Goldfarb, I, et al.
Gepubliceerd in: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
door: Goldfarb, I, et al.
Gepubliceerd in: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
door: Goldfarb, I, et al.
Gepubliceerd in: (1997)