تخطي إلى المحتوى
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
اللغة
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
Using growth kinetics for nano...
استشهد بهذا
أرسل هذا في رسالة قصيرة
أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
طباعة
تصدير التسجيلة
تصدير إلى RefWorks
تصدير إلى EndNoteWeb
تصدير إلى EndNote
رابط دائم
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
التنسيق:
Conference item
منشور في:
1998
المقتنيات
الوصف
مواد مشابهة
عرض للأخصائي
مواد مشابهة
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
حسب: Goldfarb, I, وآخرون
منشور في: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
حسب: Owen, J, وآخرون
منشور في: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
حسب: Goldfarb, I, وآخرون
منشور في: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
حسب: Goldfarb, I, وآخرون
منشور في: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
حسب: Goldfarb, I, وآخرون
منشور في: (1997)