Léim chuig an ábhar
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Teanga
Gach réimse
Teideal
Údar
Ábhar
Gairmuimhir
ISBN/ISSN
Clib
AIMSIGH
CASTA
Using growth kinetics for nano...
Luaigh é seo
Seol mar théacs é seo
Seol é seo mar r-phost
Priontáil
Easpórtáil taifead
Easpórtáil chuig RefWorks
Easpórtáil chuig EndNoteWeb
Easpórtáil chuig EndNote
Buan-nasc
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Sonraí bibleagrafaíochta
Príomhchruthaitheoirí:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Formáid:
Conference item
Foilsithe / Cruthaithe:
1998
Stoc
Cur síos
Míreanna comhchosúla
Amharc foirne
Míreanna comhchosúla
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
de réir: Goldfarb, I, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
de réir: Owen, J, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
de réir: Goldfarb, I, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
de réir: Goldfarb, I, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
de réir: Goldfarb, I, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1997)