Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
שפה
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
Using growth kinetics for nano...
יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
Permanent link
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
מידע ביבליוגרפי
Main Authors:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
פורמט:
Conference item
יצא לאור:
1998
מלאי ספרים
תיאור
פריטים דומים
תצוגת צוות
פריטים דומים
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
מאת: Goldfarb, I, et al.
יצא לאור: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
מאת: Owen, J, et al.
יצא לאור: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
מאת: Goldfarb, I, et al.
יצא לאור: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
מאת: Goldfarb, I, et al.
יצא לאור: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
מאת: Goldfarb, I, et al.
יצא לאור: (1997)