Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION ON S...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION ON SILICON - INSITU SURFACE STUDIES
Библиографические подробности
Главные авторы:
Foord, J
,
Jackman, R
Формат:
Journal article
Опубликовано:
1984
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
METAL DEPOSITION ON SILICON: IN SITU SURFACE STUDIES.
по: Jackman, R, и др.
Опубликовано: (1984)
INSITU X-RAY PHOTOEMISSION-STUDIES OF THE OXIDATION OF Y-BA-CU FILMS
по: Price, R, и др.
Опубликовано: (1988)
Influence of the environment on the surface conductivity of chemical vapor deposition diamond
по: Foord, J, и др.
Опубликовано: (2002)
INTERACTION OF HYDROGEN WITH CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION DIAMOND SURFACES - A THERMAL-DESORPTION STUDY
по: Chua, L, и др.
Опубликовано: (1994)
ELECTRON-BEAM STIMULATED CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION OF PATTERNED TUNGSTEN FILMS ON SI(100)
по: Jackman, R, и др.
Опубликовано: (1986)