Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION ON S...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
Exportación Completada —
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION ON SILICON - INSITU SURFACE STUDIES
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Foord, J
,
Jackman, R
Médium:
Journal article
Vydáno:
1984
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
METAL DEPOSITION ON SILICON: IN SITU SURFACE STUDIES.
Autor: Jackman, R, a další
Vydáno: (1984)
INSITU X-RAY PHOTOEMISSION-STUDIES OF THE OXIDATION OF Y-BA-CU FILMS
Autor: Price, R, a další
Vydáno: (1988)
Influence of the environment on the surface conductivity of chemical vapor deposition diamond
Autor: Foord, J, a další
Vydáno: (2002)
INTERACTION OF HYDROGEN WITH CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION DIAMOND SURFACES - A THERMAL-DESORPTION STUDY
Autor: Chua, L, a další
Vydáno: (1994)
ELECTRON-BEAM STIMULATED CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION OF PATTERNED TUNGSTEN FILMS ON SI(100)
Autor: Jackman, R, a další
Vydáno: (1986)