SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
প্রধান লেখক: | Foord, J, Singh, N, Wee, A, French, C, Fitzgerald, E |
---|---|
বিন্যাস: | Conference item |
প্রকাশিত: |
1991
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
অনুযায়ী: Foord, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993) -
SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
অনুযায়ী: Davies, G, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993) -
SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
অনুযায়ী: Davies, G, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991) -
REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
অনুযায়ী: Foord, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993) -
SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
অনুযায়ী: Davies, G, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1994)