SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
Hlavní autoři: | Foord, J, Singh, N, Wee, A, French, C, Fitzgerald, E |
---|---|
Médium: | Conference item |
Vydáno: |
1991
|
Podobné jednotky
-
REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
Autor: Foord, J, a další
Vydáno: (1993) -
SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
Autor: Davies, G, a další
Vydáno: (1993) -
SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Autor: Davies, G, a další
Vydáno: (1991) -
REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
Autor: Foord, J, a další
Vydáno: (1993) -
SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
Autor: Davies, G, a další
Vydáno: (1994)