SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
Main Authors: | Foord, J, Singh, N, Wee, A, French, C, Fitzgerald, E |
---|---|
פורמט: | Conference item |
יצא לאור: |
1991
|
פריטים דומים
-
REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
מאת: Foord, J, et al.
יצא לאור: (1993) -
SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
מאת: Davies, G, et al.
יצא לאור: (1993) -
SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
מאת: Davies, G, et al.
יצא לאור: (1991) -
REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
מאת: Foord, J, et al.
יצא לאור: (1993) -
SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
מאת: Davies, G, et al.
יצא לאור: (1994)