বিষয়বস্তু এড়িয়ে যান
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
ভাষা
সমস্ত ক্ষেত্রসমূহ
আখ্যা
লেখক
বিষয়
ডাক সংখ্যা
আইসবিএন/আইএসএসএন
ট্যাগ
অনুসন্ধান
বিস্তৃত
SURFACE-REACTION MECHANISMS IN...
সাইট করুন
এই পাঠটি
এই ই-মেইলটি
মুদ্রণ
নথি এক্সপোর্ট করুন
এক্সপোর্ট করুন RefWorks
এক্সপোর্ট করুন EndNoteWeb
এক্সপোর্ট করুন EndNote
স্থায়ী লিঙ্ক
SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:
Foord, J
,
Singh, N
,
Wee, A
,
French, C
,
Fitzgerald, E
বিন্যাস:
Conference item
প্রকাশিত:
1991
হোল্ডিংস
বিবরন
অনুরূপ উপাদানগুলি
স্টাফেদের বিবরণ দেখুন
অনুরূপ উপাদানগুলি
REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
অনুযায়ী: Foord, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993)
SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
অনুযায়ী: Davies, G, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993)
SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
অনুযায়ী: Davies, G, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991)
REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
অনুযায়ী: Foord, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993)
SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
অনুযায়ী: Davies, G, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1994)