Léim chuig an ábhar
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Teanga
Gach réimse
Teideal
Údar
Ábhar
Gairmuimhir
ISBN/ISSN
Clib
AIMSIGH
CASTA
SURFACE-REACTION MECHANISMS IN...
Luaigh é seo
Seol mar théacs é seo
Seol é seo mar r-phost
Priontáil
Easpórtáil taifead
Easpórtáil chuig RefWorks
Easpórtáil chuig EndNoteWeb
Easpórtáil chuig EndNote
Buan-nasc
SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
Sonraí bibleagrafaíochta
Príomhchruthaitheoirí:
Foord, J
,
Singh, N
,
Wee, A
,
French, C
,
Fitzgerald, E
Formáid:
Conference item
Foilsithe / Cruthaithe:
1991
Stoc
Cur síos
Míreanna comhchosúla
Amharc foirne
Míreanna comhchosúla
REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
de réir: Foord, J, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1993)
SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
de réir: Davies, G, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1993)
SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
de réir: Davies, G, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1991)
REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
de réir: Foord, J, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1993)
SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
de réir: Davies, G, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1994)