Անցեք բովանդակությանը
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Լեզու
Բոլոր դաշտերը
Վերնագիր
Հեղինակ
Խորագիր
Դասիչ
ISBN/ISSN
Ցուցիչ
Գտեք
Ընդլայնված
SURFACE-REACTION MECHANISMS IN...
Վկայակոչեք սա
Գրեք սա
Էլփոստով ուղարկեք սա
Տպել
Արտահանել գրառումը
Արտահանել դեպի RefWorks
Արտահանել դեպի EndNoteWeb
Արտահանել դեպի EndNote
Մշտական հղում
SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:
Foord, J
,
Singh, N
,
Wee, A
,
French, C
,
Fitzgerald, E
Ձևաչափ:
Conference item
Հրապարակվել է:
1991
Պահումներ
Նկարագրություն
Նմանատիպ նյութեր
Աշխատակազմի տեսք
Նմանատիպ նյութեր
REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
: Foord, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1993)
SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
: Davies, G, և այլն
Հրապարակվել է: (1993)
SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
: Davies, G, և այլն
Հրապարակվել է: (1991)
REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
: Foord, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1993)
SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
: Davies, G, և այլն
Հրապարակվել է: (1994)