Агуулга руу алгасах
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Хэл сонгох
Бүх талбарууд
Гарчиг
Зохиогч
Сэдэв
Зохиогчийн тэмдэгт
ISBN/ISSN
Шошго
Хайх
Дэлгэрэнгүй
SURFACE-REACTION MECHANISMS IN...
Үүнийг ишлэх
Үүнийг мессежээр илгээх
Үүнийг цахим шуудангаар илгээх
Хэвлэх
Бүртгэлийг экспортлох
RefWorks руу экспортлох
EndNoteWeb руу экспортлох
EndNote руу экспортлох
Байнгын холбоос
SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
Номзүйн дэлгэрэнгүй
Үндсэн зохиолчид:
Foord, J
,
Singh, N
,
Wee, A
,
French, C
,
Fitzgerald, E
Формат:
Conference item
Хэвлэсэн:
1991
Түр хойшлуулсан зүйлс
Тодорхойлолт
Ижил төстэй зүйлс
Ажилтнуудыг харах
Ижил төстэй зүйлс
REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
-н: Foord, J, зэрэг
Хэвлэсэн: (1993)
SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
-н: Davies, G, зэрэг
Хэвлэсэн: (1993)
SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
-н: Davies, G, зэрэг
Хэвлэсэн: (1991)
REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
-н: Foord, J, зэрэг
Хэвлэсэн: (1993)
SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
-н: Davies, G, зэрэг
Хэвлэсэн: (1994)