Transmission electron microscopy characterization of secondary defects created by MeV Si, Ge, and Sn implantation in silicon
المؤلفون الرئيسيون: | Wong-Leung, J, Fatima, S, Jagadish, C, Gerald, F, Chou, C, Zou, J, Cockayne, D |
---|---|
التنسيق: | Journal article |
منشور في: |
2000
|
مواد مشابهة
-
{111} defects in 1-MeV-silicon-ion-implanted silicon.
حسب: Chou, C, وآخرون
منشور في: (1995) -
{111} and {311} rod-like defects in silicon ion implanted silicon
حسب: Chou, C, وآخرون
منشور في: (1996) -
Double-shot MeV electron diffraction and microscopy
حسب: P. Musumeci, وآخرون
منشور في: (2017-07-01) -
Path integrals from meV to MeV /
حسب: Bielefeld Encounters in Physics and Mathematics (7th : 1985 : Bielefeld Center for Interdisciplinary Research), وآخرون
منشور في: (1986) -
New experimental results for the 17 MeV particle created in 8Be
حسب: Krasznahorkay A.J., وآخرون
منشور في: (2017-01-01)