Μετάβαση στο περιεχόμενο
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Γλώσσα
Όλα τα πεδία
Τίτλος
Συγγραφέας
Θέμα
Ταξιθετικός Αριθμός
ISBN/ISSN
Ετικέτα
Αναζήτηση
Σύνθετη
Transmission electron microsco...
Εμφάνιση παραπομπής
Αποστολή με SMS
Αποστολή με email
Εκτύπωση
Αποθήκευση
Αποθήκευση σε RefWorks
Αποθήκευση σε EndNoteWeb
Αποθήκευση σε EndNote
Μόνιμος σύνδεσμος
Transmission electron microscopy characterization of secondary defects created by MeV Si, Ge, and Sn implantation in silicon
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριοι συγγραφείς:
Wong-Leung, J
,
Fatima, S
,
Jagadish, C
,
Gerald, F
,
Chou, C
,
Zou, J
,
Cockayne, D
Μορφή:
Journal article
Έκδοση:
2000
Τεκμήρια
Περιγραφή
Παρόμοια τεκμήρια
Λεπτομερής προβολή
Παρόμοια τεκμήρια
{111} defects in 1-MeV-silicon-ion-implanted silicon.
ανά: Chou, C, κ.ά.
Έκδοση: (1995)
{111} and {311} rod-like defects in silicon ion implanted silicon
ανά: Chou, C, κ.ά.
Έκδοση: (1996)
Double-shot MeV electron diffraction and microscopy
ανά: P. Musumeci, κ.ά.
Έκδοση: (2017-07-01)
Path integrals from meV to MeV /
ανά: Bielefeld Encounters in Physics and Mathematics (7th : 1985 : Bielefeld Center for Interdisciplinary Research), κ.ά.
Έκδοση: (1986)
New experimental results for the 17 MeV particle created in 8Be
ανά: Krasznahorkay A.J., κ.ά.
Έκδοση: (2017-01-01)