Hoppa till innehåll
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Språk
Alla fält
Titel
Upphovsman
Ämne
Signum
ISBN/ISSN
Tagg
Sök
Avancerad
Transmission electron microsco...
Hänvisa
Textmeddelande
Skicka per e-post
Skriv ut
Exportera posten
Exportera till: RefWorks
Exportera till: EndNoteWeb
Exportera till: EndNote
Permanent länk
Transmission electron microscopy characterization of secondary defects created by MeV Si, Ge, and Sn implantation in silicon
Bibliografiska uppgifter
Huvudupphovsmän:
Wong-Leung, J
,
Fatima, S
,
Jagadish, C
,
Gerald, F
,
Chou, C
,
Zou, J
,
Cockayne, D
Materialtyp:
Journal article
Publicerad:
2000
Beståndsuppgifter
Beskrivning
Liknande verk
Katalogiseringsuppgifter
Liknande verk
{111} defects in 1-MeV-silicon-ion-implanted silicon.
av: Chou, C, et al.
Publicerad: (1995)
{111} and {311} rod-like defects in silicon ion implanted silicon
av: Chou, C, et al.
Publicerad: (1996)
Double-shot MeV electron diffraction and microscopy
av: P. Musumeci, et al.
Publicerad: (2017-07-01)
Path integrals from meV to MeV /
av: Bielefeld Encounters in Physics and Mathematics (7th : 1985 : Bielefeld Center for Interdisciplinary Research), et al.
Publicerad: (1986)
New experimental results for the 17 MeV particle created in 8Be
av: Krasznahorkay A.J., et al.
Publicerad: (2017-01-01)