Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.

Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.

Positively charged defects induced by protons at the Si(100)-SiO2 interface are studied through density-functional calculations and realistic interface models. Protons generally preserve the bonding network, but cause the spontaneous breaking of strained bonds leading to threefold-coordinated Si(3)(...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	Godet, J, Giustino, F, Pasquarello, A
פורמט:	Journal article
שפה:	English
יצא לאור:	2007

פריטים דומים

Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2005)

Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2004)

Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2005)

Infrared spectra at surfaces and interfaces from first principles: evolution of the spectra across the Si(100)-SiO2 interface.
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2005)

Dielectric and infrared properties of ultrathin SiO2 layers on Si(100)
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2006)

Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
מאת: Devynck, F, et al.
יצא לאור: (2005)

Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
מאת: Devynck, F, et al.
יצא לאור: (2007)

Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
מאת: Devynck, F, et al.
יצא לאור: (2007)

Modeling of Si 2p core-level shifts at Si-(ZrO(2))(x)(SiO(2))(1-x) interfaces
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2002)

Band offsets at the Si/SiO2 interface from many-body perturbation theory
מאת: Shaltaf, R, et al.
יצא לאור: (2008)

Band offsets at the Si/SiO2 interface from many-body perturbation theory.
מאת: Shaltaf, R, et al.
יצא לאור: (2008)

Dielectric effect of a thin SiO2 interlayer at the interface between silicon and high-k oxides
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2004)

First-principles theory of infrared absorption spectra at surfaces and interfaces: Application to the Si(100): H(2)O surface
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2008)

Infrared properties of ultrathin oxides on Si(100)
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2005)

Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
מאת: Devynck, F, et al.
יצא לאור: (2007)

Doping-dependent fixed charges in SiC/SiO2 structure
מאת: Kyota Mikami, et al.
יצא לאור: (2025-01-01)

Charge injection at carbon nanotube-SiO2 interface
מאת: Ong, Hock Guan, et al.
יצא לאור: (2011)

Fixed charges at the HfO2/SiO2 interface: Impact on the memory window of FeFET
מאת: Masud Rana Sk, et al.
יצא לאור: (2023-07-01)

Charge fluctuations at the Si-SiO2 interface and its effect on surface recombination in solar cells
מאת: Bonilla , RS, et al.
יצא לאור: (2020)

First-Principles Study on the Interaction of H2O and Interface Defects in A-SiO2/Si(100)
מאת: Wenli Zhang, et al.
יצא לאור: (2022-05-01)

Exciton formation dynamics at the SiO2/Si interface
מאת: Sergio Revuelta, et al.
יצא לאור: (2023-11-01)

First-principles study on electronic structure of Si/SiO2 interface—Effect of interface defects on local charge density
מאת: Katsuhiro Kutsuki, Tomoya Ono and Kikuji Hirose
יצא לאור: (2007-01-01)

Data for Charge Fluctuations at the Si-SiO2 Interface and its Effect on Surface Recombination in Solar Cells
מאת: Bonilla, S
יצא לאור: (2020)

SiO-induced thermal instability and interplay between graphite and SiO in graphite/SiO composite anode
מאת: Ban Seok Lee, et al.
יצא לאור: (2023-01-01)

Peculiarities of Charge Transfer in SiO2(Ni)/Si Nanosystems
מאת: Egor Yu. Kaniukov, et al.
יצא לאור: (2018-01-01)

Charging mechanism in a SiO2 matrix embedded with Si nanocrystals
מאת: Fu, Yong Qing, et al.
יצא לאור: (2010)

Impact of post-deposition annealing on SiO2/SiC interfaces formed by plasma nitridation of the SiC surface and SiO2 deposition
מאת: Hiroki Fujimoto, et al.
יצא לאור: (2024-01-01)

Investigation of Boron Distribution at the SiO2/Si Interface of Monolayer Doping
מאת: Shu-Han Hsu, et al.
יצא לאור: (2021-01-01)

Modeling of lateral charge transfer in Si nanocrystals in SiO2 thin film
מאת: Yu, Q., et al.
יצא לאור: (2013)

Study of charge diffusion at the carbon nanotube-SiO2 interface by electrostatic force microscopy
מאת: He, Yingran, et al.
יצא לאור: (2011)

Influence of fixed charges and trapped electrons on free electron mobility at 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces with gate oxides annealed in NO or POCl3
מאת: Koji Ito, et al.
יצא לאור: (2024-01-01)

SiO2/Si interface oxidation and defects in O2 plasma processing
מאת: Shota Nunomura, et al.
יצא לאור: (2025-01-01)

The formation and evolution of SiO/SiO2 nanostructures /
מאת: 437818 Nurul Huda Abu Bakar, et al.
יצא לאור: (2009)

Properties of the Si-SiO2 Interfaces in MOS Structures with Nitrogen Doped Silicon
מאת: Ladislav Harmatha, et al.
יצא לאור: (2006-01-01)

Ultrahigh Vacuum Preparation and Passivation of Abrupt SiO2/Si(111) Interfaces
מאת: Bert Stegemann, et al.
יצא לאור: (2007-12-01)

Investigating the mechanism of SiO2/4H-SiC interface traps passivation by boron incorporation through FT-IR analysis of near-interface SiO2
מאת: Runze Wang, et al.
יצא לאור: (2024-01-01)

Electronic Properties of Charged Centers in SiO₂-like Glasses
מאת: Kastner, Marc A.
יצא לאור: (2010)

Anhydrous proton-conducting imidazole triflate-SiO2 composite
מאת: Tran Anh Tu, et al.
יצא לאור: (2022-12-01)

Kajian kadar kepudaran luminesens terma serabut optik SiO2(AI), SiO2 (Ge) dan TLD-100 /
מאת: 436047 Noor Hayati Anuar, et al.
יצא לאור: (2009)

Patterning of SiO2 interfaces for radiative cooling applications
מאת: Zhenmin Ding, et al.
יצא לאור: (2023-01-01)